FilippOk, пожалуйста посоветуй чайнику...

[23AG_Oves]

Если коротко, то есть следующие тайминги обычно -
1. CAS Latency
2. RAS to CAS Delay
3. RAS Precharge Delay
4. Active Precharge Delay (5T-7T). Бывает ещё больше настроек. Настраиваются они в BIOS, обычно в разделе advanced chipset features.
В каждом банке памяти есть микросхема SPD, в которой хранятся сведения о памяти, в том числе оптимальные для данной частоты тайминги (при которых память устойчиво работает).
Не вдаваясь особо в устройство памяти, чем меньше тайминги - тем быстрее работает память. Например, память с таймингом CL=2 на 333 MHz эффективной частоты будет работать быстрее CL=3 и даже CL=2,5 на частоте 400. В моём случае оказалось, что связка процессор-память быстрее работают на частоте FSB 173 с таймингами 2,5-3-3-7, чем на 181 (предел стабильной работы FSB) с 2,5-3-3-8. Идеальные по скорости (в большинстве случаев)тайминги для существующих разновидностей DDR памяти 2-2-2-5 соответственно написанным вверху.
Гарантированные для работы производителем - по SPD. У меня, например, при эфф. частоте 346 это 2,5-3-3-7 (память довольно говёненькая, но дешёвая)
Все настройки сверх (быстрее) предлагаемых SPD зависят от качества исполнения памяти, производителя. Если память хорошая, то она будет работать устойчиво на минимальных таймингах. В противном случае будет сбоить вплоть до невозможности загрузки компа без сброса биос на дефолтные настройки (моя память совершенно не гонится). Хорошо гониться обычно память на чипах Winbond (стоит подороже других). Конечно, всё зависит ещё от конкретного экземпляра. По этой же причине рекомендуется брать одинаковые банки, из одной партии.
На практике это выглядит так - понижаешь какое-либо значение тайминга и смотришь, устойчиво ли работает комп. Дальше другой. Как только сбой - возвращаешь назад.
Что можно получить с этого всего? до 3-4% прироста производительности системы при переходе с таймингов 3-4-4-8 (Samsung обычно) на 2-2-2-5 (Winbond).