Новые российские компьютеры: характеристики, подробности, разъяснения.

[USSR_Rik]

Иногда это совсем не вымышленные ужастики.

Хорошо, не нравится аналогия - обойдемся без нее. Так сколько закладок за всё время существования найдено в пнях, с которыми сравнивается детище Б&Ko ?

[T4-2]

Хорошо, не нравится аналогия - обойдемся без нее. Так сколько закладок за всё время существования найдено в пнях, с которыми сравнивается детище Б&Ko ?

А если все-таки бывало, и закладки встречались, да вот никто вам и мне про них никогда не скажет -люди подписки дают и не все родину продают после ухода со службы - почему кто-то должен орать об этом во всеуслышанье? Мы же тут тоже не передергиваем про истории типа косяков на Бушерской АЭС в "независимой" и "чистой" аппаратуре Siemens.
И хорош уже Бабаяна приплетать к тому, что сейчас, в 2011 году

p.s. всё-таки по-моему хватить про писькомерство: чётко и ясно вам любой выпускник РТФ приличного вуза расскажет про то, что смысла сравнивать интелы и мцст НЕТ.

p.p.s. товарищам, которые хотят разогнать мцст-шные процы с 500 мГц до 2 гГц настоятельно советую не смешить народ и внимательно перечитать не треп в форумах, а хотя бы сайт производителя. Он открытый)))

[CoolSV]

Если уж покупать завод то современный. 130 нм, и даже 90 нм ну как-то вообще не прет

Главный вопрос: За чей счёт банкет?
Да и чего по таким технологиям производить? Всё и так уже завалено процессорами и памятью. Как собираемся конкурировать с фабами, у которых техпроцесс, поставки запасных частей, материалов и всего остального отлажены очень хорошо? А иными словами просто под боком, находятся сервисные центры множества фирм, со складами всего что можно только пожелать со сроком доставки от нескольких часов, до одних суток.
Только одно оборудование будет стоить сотни миллионов зелёных.(это если америка согласится продавать современное оборудование) При этом надо построить не один, а условно говоря 4 завода: цех где микросхемы производятся, "электростанцию", цех водоподготовки, цех по производству основных рабочих газов N2, О2, Ar и т. д., системы очистки слива. Это только так, на вскидку. Плюс разная инфраструктура, типа дорог, складов, вспомогательных помещений.
Стоить это всё будет мягко говоря дофига. При этом должно это быть не какое-то разовое вложение, а постоянное денежное вливание, иначе не доживёт завод до счастливого момента, когда всё может быть заработает. Про зарплату, которую тоже надо платить, я даже молчу. При этом достаточно много вещей не производится в России. (А некоторые и вообще никогда не производились) Начиная от кремниевых пластин большого диаметра, и заканчивая сверхчистыми материалами, газами и жидкостями. При всём при этом прибыль и даже окупаемость пусть даже и в перспективе мягко говоря сомнительна.

Не скажу что всё у нас прям уж плачевно. Но далеко не блестяще именно из-за того, что требует больших денежных вливаний, при небольшой отдаче. Поэтому у современной России пока едва хватило денег на открытие опытного производства, которое не сможет себя окупить из-за малых объёмов производства. Сейчас, когда рынок микроэлектроники уже пересыщен очень не просто что-либо серьёзное построить. Но в 90 нм я верю! Конечно не в следующем году, но через год, какие-то опытные транзисторы... может быть! Очень даже может быть!
Китайцам повезло в них америка и запад вложились как следует. Нам сейчас сливают то что для них представляет уже маленький интерес, с целью поиметь хоть какие-то деньги на технологиях, которые давно всеми освоены и всем уже малоинтересны.
А по всяким там нанометрическим технологиям тоже уже подходят к пределу. Где-то начиная после 22 нм транзисторы получаются по характеристикам и быстродействию сравнимы с более большими транзисторами. При том что пробивные напряжения ещё меньше, и дизайн схем из очень непростого превращается в архисложный! Выигрыш больше маркетинговый, нежели в каких-то рабочих характеристиках.
Как-то кардинально шагнуть в миниатюризацию можно только поменяв материал подложки с кремния к примеру на арсенид галия. Если у кремния напряжение на переходе затвор-исток в районе 0.7В. (Т. е. ниже 0.6В кремниевый транзистор работать не сможет даже теоретически) При напряжении питания 1.1-1.2В напряжение на стоке не должно быть не меньше 0.8-0.9В. В сложных схемах этого добиться крайне нелегко. А учитывая высокие частоты для которых приходится всё это проектировать я вообще с трудом представляю как людям удаётся до сих пор выкручиваться. А большая миниатюризация требует всё большего и большего уменьшения напряжения питания, потому как пробивное напряжение уменьшается.